Intel và Micron giới thiệu chip nhớ 3D 32 lớp, có thể dùng cho ổ SSD tối đa 10TB

09:37 | 31/03/2015Lượt xem: 1085

Intel và Micron mới đây đã công bố công nghệ bộ nhớ NAND flash 3D "có mật độ lưu trữ dày đặc nhất thế giới". Để làm được chuyện đó, hai hãng đã sắp xếp các cell nhớ của chip theo chiều dọc với 32 lớp khác nhau thay vì trải dài chúng ra. Cũng giống như khi bạn ở trong một thành phố có quá đông dân cư mà diện tích lại hạn chế thì bạn phải chuyển qua xây các tòa nhà cao tầng để chứa thêm người thay vì xây nhà phố. Kết quả mà Intel và Micron đạt được là những con chip có dung lượng 256Gb (tương đương 32GB, nếu dùng cấu trúc MLC) hoặc 384Gb (tương đương 48GB, nếu dùng TLC). Nếu đóng gói nhiều con chip này vào trong một ổ SATA 2,5" thì dung lượng tối đa có thể thu được là 10TB, còn nếu dùng ổ M.2 thì dung lượng đạt mức tối đa 3,5TB, tức cao hơn gấp 3 lần so với những ổ SSD thương mại hiện nay.

Ngoài lợi ích về dung lượng thì công nghệ NAND flash 3D của Intel và Micron còn mang lại sản lượng cao hơn với chi phí thấp hơn nhờ sử dụng cùng công nghệ sản xuất "floating-gate cell" giống như các chip nhớ 2D từ trước đến nay. Chế độ "sleep" mới giúp cắt giảm lượng điện tiêu thụ của một hoặc vài con chip NAND trong ổ SSD đang ở trạng thái rỗi nhằm tăng thời gian dùng pin cho thiết bị. Hai công ty cũng áp dụng những kĩ thuật mới để giảm độ trễ và tăng tuổi thọ của chip so với những thế hệ trước.

Chip NAND flash 3D của Intel và Micron có thể được xài cho laptop siêu mỏng nhẹ, thiết bị di động hay thậm chí là data center. Hiện những con chip nhớ mới này đang được thử nghiệm trong nội bộ hai công ty và việc sản xuất đại trà sẽ diễn ra trong nửa sau năm nay. Đáng tiếc là chúng ta chưa có thông tin gì về tốc độ cũng như tuổi thọ của chip.

Ngoài Intel và Micron, Samsung trước đây cũng từng giới thiệu công nghệ 3D vNAND để tạo ra những con chip nhớ với kiến trúc cell theo chiều dọc. Lúc đó mỗi con chip 3D vNAND của hãng có dung lượng 16GB (tháng 8/2013). Chúng được sản xuất bằng công nghệ Charge Trap Flash (CTF). Đây là kĩ thuật dùng để tạo ra các chip NAND flash sử dụng lớp phim silion nitride để chứa điện tử chứ không dùng silicon đa tinh thể như kĩ thuật "Floating-Gate" thông thường.

Cấu trúc 3D NAND flash 32 lớp của Intel và Micron đồng phát triển

Tác giả (Nguồn): tinhte.vn
Tin tức khác